M04600 - SEMI M46 - ECV法によりエピタキシァル層内のキャリア密度プロファイルを測定するための試験方法
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本スタンダードは，Global Compound Semiconductor Committeeで技術的に承認されている。現版は2008年11月19日，global Audits and Review Subcommitteeにて発行が承認された。2009年2月www.semi.orgで，2009年3月CD-ROMで入手可能となる。初版は2001年に発行された。 E本文書は2001年11月に編集上の修正がなされた。¶7.3.3について変更がなされた。 本文書の目的は，エピタキシァル層のキャリア濃度深さプロファイルを電気化学キャパシタンスボルテージ（ECV）プロファイリングによって，測定する方法を規定することである。 Referenced SEMI StandardsSEMI C1 — Guide for the Analysis of Liquid Chemicals
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