M01400 - SEMI M14 - 半絶縁ガリウムヒ素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス（仕様）

NOTICE: This translation is a REFERENCE COPY ONLY. If differences should exist between the English version and a translation in any other language, the English version is the official and authoritative version. 免責事項：　このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡ SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用にあたっての注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。   本書の目的は，半絶縁GaAsの異なるロット間において有意義な比較ができるように，イオン注入，活性化及び生成レイヤーの測定のためのプロセスを与えることである。このテストは成果が標準的方法によって表されるように，サプライヤによって実施されることになろう。   候補ロットは，標準ASTM評価技術を使用して，抵抗率，移動度及び温度安定性に対するSEMI GaAs仕様を満足しなければならない。   表面の準備：残留酸化物を取り除くように表面処理を計画しなければならない。   注入角度を持ったエネルギーの種類及び注入量：2×1012/cm2の注入量を持つSi29を使用した150KeVのエネルギー。＜100＞から＜110＞の方向へ11～13°の傾き。   表面の準備：活性化の前には化学的処理を実施してはならない。   活性化：サンプルは，注入表面に直接接触している2次近接ウェーハとともに850°Cの温度に10分間さらされなければならない。近接ウェーハはイオン注入を受けていないこと以外は，当該ウェーハと同一でなければならない。炉の雰囲気は窒素又はアルゴンのようなガスでなければならない。   活性化されたサンプルの評価は，標準ASTM技術に従って規定されているCV輪郭，移動度及び抵抗率に基づかなければならない。 　 Referenced SEMI StandardsNone.